该微控制器15获取该发光二极管11周围的该热敏电路ntc电路的热敏电阻ntc的阻值,依据温度阻值曲线图(厂家提供的温度-阻值曲线图)获取该热敏电阻ntc的第二温度值,依据该热敏电阻ntc的第二温度值确定该发光二极管11的该良好温度值,该ntc离发光二极管距离比较近的情况下,该第二温度值可以确定为该发光二极管11的良好温度值。在本发明的一个实施例中,提供了一种发光二极管11的控制方法,图7是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制方法的流程图,如图7所示,该方法包括如下步骤:步骤s702,获取发光二极管良好温度值和良好压差值,依据该良好温度值和该良好压差值,调用预存储的良好校准数据表进行良好对比,依据该良好对比的结果对该良好压差值进行校准后,获取第二压差值,良好校准数据表为该发光二极管的初始温度值和该初始电压值统计表;步骤s704,获取发光二极管的电流值,依据该第二压差值和该电流值,调用预存储的第二校准数据表进行第二对比,第二校准数据表为该发光二极管的初始压差值和初始电流值统计表,在该第二对比的结果不符合预设阈值的情况下,发送报警信息。通过上述步骤s702至s704,发光二极管11出厂工作后,微控制器15自主控制该发光二极管11的电流。强茂开关二极管原装现货。辽宁快恢复二极管
附图说明此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一;图2是根据发明实施例的压降和温度的初始工作统计示意图;图3是根据发明实施例的压降和电流的初始工作统计示意图;图4是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图二;图5是根据本发明实施例的运放差分输入电路的示意图;图6是根据本发明实施例的热敏电阻ntc温度采集电路的示意图;图7是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制方法的流程图。具体实施方式下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是,在不矛盾的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明的实施例提供了一种发光二极管的控制系统,图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一,如图1所示,该系统包括:发光二极管11、驱动板12、电压采集电路13、温度采集电路14和微控制器15;该温度采集电路14获取该发光二极管11良好温度值,并发送给该微控制器15;该电压采集电路14获取该发光二极管11的压差值。南京激光二极管质量好的东莞捷捷微二极管代理商公司。
图4是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图二,如图4所示,该系统还包括报警电路21,所述报警电路21与所述微控制器15电性连接,在所述第二对比的结果超出第二校准数据表的合理范围的情况下,所述微控制器15发送报警信号给所述报警电路21,所述报警电路21进行报警,该报警电路21可以为发光设备的灯光报警,也可以是发声设备的声音报警。在一个实施例中,该驱动板12与该发光二极管11连接,微控制器15控制该驱动板15给该发光二管11输出电流的大小,该微控制器15可以设置一个变化的电流值范围,驱动板12将变化的电流值输出给该发光二极管11,该微控制器15也可以输出不同占空比的pwm信号,依据该pwm信号和预设的最大电流值,确定该驱动板12输入给该发光二极管11的该电流值,确定的过程包括:输出电流=pwm占空比*设置的最大电流,实现发光二极管11电流的精细控制。在一个实施例中,在该电压采集电路13是运算差分电路的情况下,通过运算差分电路接入该发光二极管11的两端,获取该发光二极管11的压差值。例如,图5是根据本发明实施例的运放差分输入电路的示意图,如图5所示,该发光二极管11两端的电压分别为v1和v2,输出的电压vout如公式1所示:当r1=r3。
良好校准数据表为所述发光二极管的初始温度值和所述初始电压值统计表;获取发光二极管的电流值,依据所述第二压差值和所述电流值,调用预存储的第二校准数据表进行第二对比,第二校准数据表为所述发光二极管的初始压差值和初始电流值统计表,在所述第二对比的结果不符合预设阈值的情况下,发送报警信息。在其中一个实施例中,所述获取发光二极管电流值包括:获取脉冲调制pwm信号,依据所述pwm信号和预设的最大电流值,确定所述电流值。在其中一个实施例中,所述获取发光二极管的良好压差值包括:通过运算差分电路接入所述发光二极管的两端,获取所述发光二极管的良好压差值。在其中一个实施例中,所述获取发光二极管温度值包括:获取所述发光二极管周围的热敏电阻ntc的阻值,依据温度阻值曲线图获取所述热敏电阻ntc的第二温度值,依据所述热敏电阻ntc的第二温度值确定所述发光二极管的所述良好温度值。根据本发明的另一个方面,还提供了一种发光二极管的控制系统,所述系统包括:发光二极管、驱动板、电压采集电路、温度采集电路和微控制器;所述温度采集电路获取所述发光二极管良好温度值,并发送给所述微控制器;所述电压采集电路获取所述发光二极管的良好压差值。华南捷捷微二极管代理商公司。
实时监控发光二极管的工作温度、正向压降值和电流值,并依据良好校准数据表对压差值进行校准,在压差值超出第二校准数据表的合理范围后,进行报警提醒,解决了单个led灯的使用寿命无法准确预测的问题,实现了单个led灯的使用寿命的准确预测和报警。在一个实施例中,还提供了一种医疗设备,包括存储器、处理器和发光二极管11,所述存储器存储有计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现发光二极管的控制方法的步骤。根据本发明的另一个方面,还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现上述实施例的该的方法的步骤。本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,该的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中,该计算机程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。其中,本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用,均可包括非易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)或闪存。东莞强茂二极管代理商公司。武汉稳压二极管公司
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所述有机发光二极管在基板上或在基板上方并且包括电极、面向电极的第二电极、以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在电极与第二电极之间的发光材料层;以及布置在基板与有机发光二极管之间并与有机发光二极管连接的薄膜晶体管,其中磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5%。在另一方面,照明装置包括:基板;和有机发光二极管,所述有机发光二极管在基板上或在基板上方并且包括电极、面向电极的第二电极、以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置电极与第二电极之间的发光材料层,其中磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5%。根据本发明的一方面,磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于约%、或者等于或小于约%。根据本发明的一个方面,磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或大于约%、或者等于或大于约%。根据本发明的一方面,有机发光二极管、有机发光显示装置或照明装置的fwhm在可见光范围内或在450nm至750nm、或500nm至700nm、或500nm至650nm的范围内等于或大于约55nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm或甚至150nm。根据本发明的一方面。辽宁快恢复二极管
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